动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，简称DRAM）是计算机中广泛使用的一种半导体存储器，主要用于临时存储数据和程序。它被称为“动态”是因为其存储单元需要周期性刷新以保持数据，而“随机存取”则意味着可以以任意顺序读取或写入数据，与访问位置无关。

DRAM的基本存储单元由一个晶体管和一个电容组成。电容负责存储电荷（代表二进制数据1或0），而晶体管则作为开关控制电荷的读写。由于电容会自然泄漏电荷，数据会随时间衰减，因此需要定期刷新（通常每几毫秒一次）来维持数据完整性。这一特性使得DRAM在断电后会丢失所有数据，属于易失性存储器。

相比于静态随机存取存储器（SRAM），DRAM具有结构简单、集成度高和成本低的优势，因此被广泛应用于计算机的主内存（如DDR系列内存条）、图形卡和移动设备中。DRAM的读写速度较慢，且功耗较高，这是由其刷新机制和电容特性决定的。

随着技术发展，DRAM已衍生出多种类型，如同步动态随机存取存储器（SDRAM）和双倍数据速率同步动态随机存取存储器（DDR SDRAM），这些改进版本通过优化时序和带宽，显著提升了性能。总体而言，DRAM在现代计算系统中扮演着关键角色，是支撑高效数据处理的基础组件。尽管面临新型存储器技术的竞争，但DRAM凭借其成熟性和经济性，仍在市场中占据主导地位。